| 製造業者識別番号 | TK10J80E,S1E |
|---|---|
| メーカー | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 製品カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 利用可能な数量 | 472954 Pieces |
| 単価 | メールで見積もり ([email protected]) |
| 説明 | MOSFET N-CH 800V TO-3PN |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
| 湿気感受性レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 生産状況（ライフサイクル） | In Production |
| 納期 | 1-2 Days |
| 日付コード（D / C） | New |
| データシートダウンロード | TK10J80E,S1E.pdf |
| 部品番号 | TK10J80E,S1E |
|---|---|
| メーカーリードタイム | 6-8 weeks |
| 調子 | New & Unused, Original Sealed |
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1 Ohm @ 5A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 46nC @ 10V |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2000pF @ 25V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 250W (Tc) |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-3P(N) |
| パッケージ/ケース | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 重量 | 0.001 KG |
| 応用 | Email for details |
| 交換部品 | TK10J80E,S1E |
QY Componentsには、最高の価格があります。 TK10J80E,S1E, 純正部品のみを販売しています。
購入したい場合 TK10J80E,S1E, あなたは引用の要求を提出するか、または私達に電子メールを送ることができます、私達は12時間以内にあなたに引用を送ります。 引用の後で、あなたはのためにあなたの順序を置くことができます TK10J80E,S1E, 私たちはあなたに私達の請求書を送り、あなたをどんな国にでも出荷します。
私達のEメール: [email protected]
QY componentsはのストッキング代理店です。 Toshiba Semiconductor and Storage 全シリーズ トランジスタ - FET、MOSFET - シングル コンポーネント また、の他の部分を購入することができます Toshiba Semiconductor and Storage そして トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 私たちから。 といった 2SC4793,YHF(J, 2SC4793,YHF(M, 2SC4881(CANO,F,M), 2SC4881,LS1SUMIF(M, 2SC4935-Y,Q(J, 2SC5171(LBS2MATQ,M, 2SC5171(ONK,Q,M), 2SC5171,MATUDQ(J, 2SC5171,ONKQ(J, 2SC5171,Q(J DMN4060SVT-7, SI8824EDB-T2-E1, SI2304DDS-T1-GE3, TSM2307CX RFG, DMP2104V-7, NTR3A052PZT1G, TSM3446CX6 RFG, DMN3016LFDE-7, MGSF2N02ELT1G, AON7400A.
購入 Toshiba Semiconductor and Storage TK10J80E,S1E 私たちと一緒に、あなたの時間とお金を節約しましょう。