| 제조업체 부품 번호 | APTM120H140FT1G |
|---|---|
| 제조사 | Microsemi Corporation |
| 제품 카테고리 | 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 |
| 사용 가능한 수량 | 114490 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | APTM120H140FT1G.pdf |
| 부품 번호 | APTM120H140FT1G |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.68 Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| 전력 - 최대 | 208W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급 업체 장치 패키지 | SP1 |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | APTM120H140FT1G |
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