| 제조업체 부품 번호 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
|---|---|
| 제조사 | Micron Technology Inc. |
| 제품 카테고리 | 메모리 |
| 사용 가능한 수량 | 155480 Pieces |
| 단가 | 이메일로 견적 ([email protected]) |
| 기술 | IC DRAM 32G 2133MHZ FBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 생산 상태 (수명주기) | In Production |
| 배달 시간 | 1-2 Days |
| 날짜 코드 (D / C) | New |
| 데이터 시트 다운로드 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E.pdf |
| 부품 번호 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
|---|---|
| 제조업체 리드 타임 | 6-8 weeks |
| 조건 | New & Unused, Original Sealed |
| 부품 상태 | Obsolete |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 형식 | DRAM |
| 과학 기술 | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| 메모리 크기 | 32Gb (512M x 64) |
| 클럭 주파수 | 2133MHz |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지 | - |
| 액세스 시간 | - |
| 메모리 인터페이스 | - |
| 전압 - 공급 | 1.1V |
| 작동 온도 | -30°C ~ 105°C (TC) |
| 실장 형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 무게 | 0.001 KG |
| 신청 | Email for details |
| 교체 부품 | MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E |
QY 구성 요소가 가장 좋은 가격입니다. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E, 우리는 오직 정품 부품만을 판매합니다.
구매하려는 경우 MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E, 견적을 요청하거나 이메일을 보내 주시면 12 시간 이내에 견적을 보내 드리겠습니다. 견적을 제출하면 MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E, 우리는 당신에게 송장을 보내고 모든 국가에 당신에게 발송합니다.
우리의 이메일: [email protected]
QY 구성 요소는 Micron Technology Inc. 모든 시리즈 메모리 구성 요소. 당신은 또한 다른 부분을 살 수 있습니다 Micron Technology Inc. 과 메모리 우리로부터. 예 : MT29C1G12MAACVAMD-5 IT TR, MT29C1G12MAACYAKD-5 IT TR, MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR, MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR, MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR, MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR, MT29C1G12MAADAFAMD-6 IT TR, MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR, MT29C1G12MAADVAMD-5 IT TR, MT29C1G12MAADYAKD-5 IT TR AS7C31026C-10BINTR, AS4C32M16MD1-5BCN, AS4C32M16SM-7TCN, AS4C32M16SM-7TIN, AS4C64M16MD1-6BCN, AS4C64M16MD1-6BIN, AS7C31026C-10BIN, MT29E128G08CECABJ1-10Z:A, MT29E128G08CECABJ1-10Z:A TR, MT29F128G08AKCABH2-10:A.
사다 Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NY-046 XT ES:E 우리와 함께 시간과 돈을 아끼십시오.