Microsemi Corporation Distribuidor www.qycomp.com APTM100DA18CT1G
Número da peça do fabricanteAPTM100DA18CT1G
FabricanteMicrosemi Corporation
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível94760 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados APTM100DA18CT1G.pdf

Atributos do produto

Número da peça APTM100DA18CT1G
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 1000V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 570nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 657W (Tc)
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Chassis Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores SP1
Pacote / Caso SP1
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição APTM100DA18CT1G

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