| Número da peça do fabricante | APTM100DA18T1G |
|---|---|
| Fabricante | Microsemi Corporation |
| Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
| Quantidade disponível | 172560 Pieces |
| Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
| Descrição | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
| Tempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de Data (D / C) | New |
| Download da folha de dados | APTM100DA18T1G.pdf |
| Número da peça | APTM100DA18T1G |
|---|---|
| Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
| Condição | New & Unused, Original Sealed |
| Status da Parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
| FET Feature | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 657W (Tc) |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Chassis Mount |
| Pacote de dispositivos de fornecedores | SP1 |
| Pacote / Caso | SP1 |
| Peso | 0.001 KG |
| Aplicação | Email for details |
| Peça de reposição | APTM100DA18T1G |
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