Número da peça do fabricante | EPC2018 |
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Fabricante | EPC |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Quantidade disponível | 459629 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | EPC2018.pdf |
Número da peça | EPC2018 |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Discontinued at Digi-Key |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 6A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -5V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | Die |
Pacote / Caso | Die |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | EPC2018 |
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