Global Power Technologies Group Distribuidor www.qycomp.com GP2M011A090NG
Número da peça do fabricanteGP2M011A090NG
FabricanteGlobal Power Technologies Group
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível161850 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados GP2M011A090NG.pdf

Atributos do produto

Número da peça GP2M011A090NG
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 900V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3240pF @ 25V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 416W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de dispositivos de fornecedores TO-3PN
Pacote / Caso TO-3P-3, SC-65-3
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição GP2M011A090NG

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