Infineon Technologies Distribuidor www.qycomp.com IPD30N03S4L09ATMA1
Número da peça do fabricanteIPD30N03S4L09ATMA1
FabricanteInfineon Technologies
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível72370 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados IPD30N03S4L09ATMA1.pdf

Atributos do produto

Número da peça IPD30N03S4L09ATMA1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 13µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1520pF @ 15V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 42W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores PG-TO252-3
Pacote / Caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição IPD30N03S4L09ATMA1

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Infineon Technologies Distribuidor

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