Rohm Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com RQ3E100MNTB1
Número da peça do fabricanteRQ3E100MNTB1
FabricanteRohm Semiconductor
Categoria de ProdutoTransistores - FETs, MOSFETs - Single
Quantidade disponível466961 Pieces
Preço unitárioCotação por e-mail ([email protected])
DescriçãoMOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Status sem chumbo / status de RoHSSem chumbo / RoHS complacente
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 1 (Unlimited)
Status de produção (ciclo de vida)In Production
Tempo de entrega1-2 Days
Código de Data (D / C)New
Download da folha de dados RQ3E100MNTB1.pdf

Atributos do produto

Número da peça RQ3E100MNTB1
Tempo de espera do fabricante 6-8 weeks
Condição New & Unused, Original Sealed
Status da Parte Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) 30V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V
FET Feature -
Dissipação de energia (máx.) 2W (Ta)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de dispositivos de fornecedores 8-HSMT (3.2x3)
Pacote / Caso 8-PowerVDFN
Peso 0.001 KG
Aplicação Email for details
Peça de reposição RQ3E100MNTB1

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Rohm Semiconductor Distribuidor

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