Número da peça do fabricante | SI4464DY-T1-GE3 |
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Fabricante | Vishay Siliconix |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Single |
Quantidade disponível | 146260 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | SI4464DY-T1-GE3.pdf |
Número da peça | SI4464DY-T1-GE3 |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensão de drenagem para fonte (Vdss) | 200V |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 2.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Feature | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de dispositivos de fornecedores | 8-SO |
Pacote / Caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | SI4464DY-T1-GE3 |
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