| Hersteller-Teilenummer | 2N7635-GA |
|---|---|
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 121480 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | 2N7635-GA.pdf |
| Artikelnummer | 2N7635-GA |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 47W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-257 |
| Paket / Fall | TO-257-3 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | 2N7635-GA |
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