GeneSiC Semiconductor Distribuidor www.qycomp.com 2N7635-GA
Número de pieza del fabricante2N7635-GA
FabricanteGeneSiC Semiconductor
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Cantidad disponible121480 Pieces
Precio unitarioCotizar por correo electrónico ([email protected])
DescripciónTRANS SJT 650V 4A TO-257
Estado sin plomo / Estado RoHSSin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de producción (ciclo de vida)In Production
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
Descargar hoja de datos 2N7635-GA.pdf

Atributos del producto

Número de pieza 2N7635-GA
Fabricante plazo de ejecución 6-8 weeks
Condición New & Unused, Original Sealed
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc) (165°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 35V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 47W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-257
Paquete / caja TO-257-3
Peso 0.001 KG
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Repuesto 2N7635-GA

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