| Número de pieza del fabricante | 2N7635-GA |
|---|---|
| Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Cantidad disponible | 121480 Pieces |
| Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
| Descripción | TRANS SJT 650V 4A TO-257 |
| Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | 2N7635-GA.pdf |
| Número de pieza | 2N7635-GA |
|---|---|
| Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
| Condición | New & Unused, Original Sealed |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | - |
| Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 47W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-257 |
| Paquete / caja | TO-257-3 |
| Peso | 0.001 KG |
| Solicitud | Email for details |
| Repuesto | 2N7635-GA |
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