| Hersteller-Teilenummer | 2SA965-O(TE6,F,M) |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 97030 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANS PNP 800MA 120V TO226-3 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | 2SA965-O(TE6,F,M).pdf |
| Artikelnummer | 2SA965-O(TE6,F,M) |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 800mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 120V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 5V |
| Leistung max | 900mW |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Lieferantengerätepaket | LSTM |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | 2SA965-O(TE6,F,M) |
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