Hersteller-Teilenummer | A2T08VD020NT1 |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - HF |
verfügbare Anzahl | 90300 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | A2T08VD020NT1.pdf |
Artikelnummer | A2T08VD020NT1 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | LDMOS |
Frequenz | 728MHz ~ 960MHz |
Gewinnen | 19.1dB |
Spannung - Test | 48V |
Aktuelle Bewertung | 10µA |
Rauschzahl | - |
Aktueller Test | 40mA |
Leistung | 18W |
Spannung - Bewertet | 105V |
Paket / Fall | 24-QFN Exposed Pad |
Lieferantengerätepaket | 24-PQFN-EP (8x8) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | A2T08VD020NT1 |
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