Hersteller-Teilenummer | AIHD10N60RFATMA1 |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 124430 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC DISCRETE 600V TO252-3 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | AIHD10N60RFATMA1.pdf |
Artikelnummer | AIHD10N60RFATMA1 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 20A |
Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 30A |
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
Leistung max | 150W |
Energie wechseln | 190µJ (on), 160µJ (off) |
Eingabetyp | Standard |
Gate Ladung | 64nC |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 12ns/168ns |
Testbedingung | 400V, 10A, 26 Ohm, 15V |
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | AIHD10N60RFATMA1 |
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