Hersteller-Teilenummer | APT80SM120S |
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Hersteller | Microsemi Corporation |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 91410 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | POWER MOSFET - SIC |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | APT80SM120S.pdf |
Artikelnummer | APT80SM120S |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 625W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | D3Pak |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | APT80SM120S |
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