Hersteller-Teilenummer | DMG3415UFY4Q-7 |
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Hersteller | Diodes Incorporated |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 34290 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | DMG3415UFY4Q-7.pdf |
Artikelnummer | DMG3415UFY4Q-7 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 16V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 650mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | X2-DFN2015-3 |
Paket / Fall | 3-XDFN |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | DMG3415UFY4Q-7 |
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