Référence fabricant | DMG3415UFY4Q-7 |
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Fabricant | Diodes Incorporated |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 34290 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | DMG3415UFY4Q-7.pdf |
Numéro d'article | DMG3415UFY4Q-7 |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 16V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 282pF @ 10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 650mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | X2-DFN2015-3 |
Paquet / cas | 3-XDFN |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | DMG3415UFY4Q-7 |
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