Diodes Incorporated Distributeur www.qycomp.com DMG3418L-7
Référence fabricantDMG3418L-7
FabricantDiodes Incorporated
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible22830 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article DMG3418L-7
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 464.3pF @ 15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 1.4W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur SOT-23
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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