Diodes Incorporated Verteiler www.qycomp.com DMG3N60SJ3
Hersteller-TeilenummerDMG3N60SJ3
HerstellerDiodes Incorporated
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl190650 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET BVDSS: 501V 650V TO251
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen DMG3N60SJ3.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer DMG3N60SJ3
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 354pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 41W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Fall TO-251-3, IPak, Short Leads
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil DMG3N60SJ3

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Diodes Incorporated Verteiler

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