Hersteller-Teilenummer | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
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Hersteller | Micron Technology Inc. |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 30210 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf |
Artikelnummer | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
Taktfrequenz | 533MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14 V ~ 1.95 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 134-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 134-VFBGA (10x11.5) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR |
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