| Hersteller-Teilenummer | EPC2012 |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 71640 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | EPC2012.pdf |
| Artikelnummer | EPC2012 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 145pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | EPC2012 |
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