EPC Distributeur www.qycomp.com EPC2012
Référence fabricantEPC2012
FabricantEPC
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible71640 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
Télécharger la fiche technique EPC2012.pdf

Attributs du produit

Numéro d'article EPC2012
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.8nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 145pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Die
Paquet / cas Die
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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