| Hersteller-Teilenummer | FDMS4D0N12C |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 163630 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | PTNG 120V N-FET PQFN56 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | FDMS4D0N12C.pdf |
| Artikelnummer | FDMS4D0N12C |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 120V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 18.5A (Ta), 114A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 67A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 370A |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 60V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.7W (Ta), 106W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | FDMS4D0N12C |
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