ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FDMS4D0N12C
Numero di parte del produttoreFDMS4D0N12C
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Quantità disponibile163630 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizionePTNG 120V N-FET PQFN56
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FDMS4D0N12C.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FDMS4D0N12C
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 18.5A (Ta), 114A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 370A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6460pF @ 60V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 106W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-PQFN (5x6)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
Pezzo di ricambio FDMS4D0N12C

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