ON Semiconductor Distributore www.qycomp.com FDMS3660AS
Numero di parte del produttoreFDMS3660AS
fabbricanteON Semiconductor
Categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Quantità disponibile92730 Pieces
Prezzo unitarioPreventivo per email ([email protected])
DescrizioneMOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8QFN
Stato senza piombo / Stato RoHSSenza piombo / RoHS
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato di produzione (ciclo di vita)In Production
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
Scarica il foglio dati FDMS3660AS.pdf

Caratteristiche del prodotto

Numero di parte FDMS3660AS
Tempo di consegna del produttore 6-8 weeks
Condizione New & Unused, Original Sealed
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13A, 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2230pF @ 15V
Potenza - Max 1W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore Power56
Peso 0.001 KG
Applicazione Email for details
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ON Semiconductor Distributore

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