| Hersteller-Teilenummer | FGA60N65SMD |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 466621 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT 650V 120A 600W TO3P |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | FGA60N65SMD.pdf |
| Artikelnummer | FGA60N65SMD |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 650V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 120A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 180A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 60A |
| Leistung max | 600W |
| Energie wechseln | 1.54mJ (on), 450µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 189nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 18ns/104ns |
| Testbedingung | 400V, 60A, 3 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 47ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PN |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | FGA60N65SMD |
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