Infineon Technologies Verteiler www.qycomp.com IPAN65R650CEXKSA1
Hersteller-TeilenummerIPAN65R650CEXKSA1
HerstellerInfineon Technologies
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl128140 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET NCH 650V 10.1A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPAN65R650CEXKSA1.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer IPAN65R650CEXKSA1
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 210µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 100V
FET-Eigenschaft Super Junction
Verlustleistung (Max) 28W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220 Full Pack
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil IPAN65R650CEXKSA1

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