Infineon Technologies Verteiler www.qycomp.com IPB042N10N3GATMA1
Hersteller-TeilenummerIPB042N10N3GATMA1
HerstellerInfineon Technologies
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl146030 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPB042N10N3GATMA1.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer IPB042N10N3GATMA1
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 150µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8410pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 214W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil IPB042N10N3GATMA1

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