Infineon Technologies Verteiler www.qycomp.com IPB180N06S4H1ATMA2
Hersteller-TeilenummerIPB180N06S4H1ATMA2
HerstellerInfineon Technologies
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl195840 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen IPB180N06S4H1ATMA2.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer IPB180N06S4H1ATMA2
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 21900pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil IPB180N06S4H1ATMA2

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