Hersteller-Teilenummer | IRF6614TR1 |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 27890 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | IRF6614TR1.pdf |
Artikelnummer | IRF6614TR1 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ ST |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric ST |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | IRF6614TR1 |
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