Infineon Technologies Distributeur www.qycomp.com IRF6614TR1
Référence fabricantIRF6614TR1
FabricantInfineon Technologies
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible27890 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionMOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article IRF6614TR1
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 40V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12.7A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2560pF @ 20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DIRECTFET™ ST
Paquet / cas DirectFET™ Isometric ST
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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