| Hersteller-Teilenummer | MJD112T4G |
|---|---|
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 93500 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | MJD112T4G.pdf |
| Artikelnummer | MJD112T4G |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Darlington |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 100V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 20µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
| Leistung max | 20W |
| Frequenz - Übergang | 25MHz |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | MJD112T4G |
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