Número da peça do fabricante | MJD112T4G |
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Fabricante | ON Semiconductor |
Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro |
Quantidade disponível | 93500 Pieces |
Preço unitário | Cotação por e-mail ([email protected]) |
Descrição | TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK |
Status sem chumbo / status de RoHS | Sem chumbo / RoHS complacente |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Status de produção (ciclo de vida) | In Production |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | MJD112T4G.pdf |
Número da peça | MJD112T4G |
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Tempo de espera do fabricante | 6-8 weeks |
Condição | New & Unused, Original Sealed |
Status da Parte | Active |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Current - Collector (Ic) (Max) | 2A |
Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.) | 100V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 2A, 3V |
Power - Max | 20W |
Frequência - Transição | 25MHz |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / Caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de dispositivos de fornecedores | DPAK |
Peso | 0.001 KG |
Aplicação | Email for details |
Peça de reposição | MJD112T4G |
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