| Hersteller-Teilenummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
|---|---|
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Produktkategorie | Speicher |
| verfügbare Anzahl | 51120 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf |
| Artikelnummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
| Taktfrequenz | 333MHz |
| Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Spannungsversorgung | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
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