Hersteller-Teilenummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
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Hersteller | Micron Technology Inc. |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 51120 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR.pdf |
Artikelnummer | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND |
Speichergröße | 512Gb (64G x 8) |
Taktfrequenz | 333MHz |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.5 V ~ 3.6 V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | - |
Paket / Fall | - |
Lieferantengerätepaket | - |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR |
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