Hersteller-Teilenummer | NESG7030M04-A |
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Hersteller | CEL |
Produktkategorie | Transistoren - Bipolar (BJT) - HF |
verfügbare Anzahl | 58750 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | DISCRETE RF DIODE |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | NESG7030M04-A.pdf |
Artikelnummer | NESG7030M04-A |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 4.3V |
Frequenz - Übergang | 5.8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
Gewinnen | 14dB ~ 21dB |
Leistung max | 125mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 5mA, 2V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 30mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-343F |
Lieferantengerätepaket | M04 |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | NESG7030M04-A |
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