| Hersteller-Teilenummer | NP50P03YDG-E1-AY |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 64320 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | NP50P03YDG-E1-AY.pdf |
| Artikelnummer | NP50P03YDG-E1-AY |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1W (Ta), 102W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSON |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | NP50P03YDG-E1-AY |
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