Hersteller-Teilenummer | PMGD8000LN,115 |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 114190 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | PMGD8000LN,115.pdf |
Artikelnummer | PMGD8000LN,115 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 125mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.35nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 5V |
Leistung max | 200mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | 6-TSSOP |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | PMGD8000LN,115 |
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