ON Semiconductor Verteiler www.qycomp.com RFD12N06RLESM9A
Hersteller-TeilenummerRFD12N06RLESM9A
HerstellerON Semiconductor
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl125690 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 60V 18A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen RFD12N06RLESM9A.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer RFD12N06RLESM9A
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 63 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 485pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 49W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil RFD12N06RLESM9A

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