Hersteller-Teilenummer | SI1926DL-T1-GE3 |
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Hersteller | Vishay Siliconix |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 156140 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SOT363 |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SI1926DL-T1-GE3.pdf |
Artikelnummer | SI1926DL-T1-GE3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 370mA |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 340mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 18.5pF @ 30V |
Leistung max | 510mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Lieferantengerätepaket | SC-70-6 (SOT-363) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | SI1926DL-T1-GE3 |
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