Hersteller-Teilenummer | SI4916DY-T1-GE3 |
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Hersteller | Vishay Siliconix |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
verfügbare Anzahl | 174650 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SI4916DY-T1-GE3.pdf |
Artikelnummer | SI4916DY-T1-GE3 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A, 10.5A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung max | 3.3W, 3.5W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | SI4916DY-T1-GE3 |
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