Vishay Siliconix Verteiler www.qycomp.com SIS606BDN-T1-GE3
Hersteller-TeilenummerSIS606BDN-T1-GE3
HerstellerVishay Siliconix
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl70280 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen SIS606BDN-T1-GE3.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer SIS606BDN-T1-GE3
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.4A (Ta), 35.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 17.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 50V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Fall PowerPAK® 1212-8
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil SIS606BDN-T1-GE3

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