| Hersteller-Teilenummer | SIS778DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 129730 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | SIS778DN-T1-GE3.pdf |
| Artikelnummer | SIS778DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1390pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (Max) | 52W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | SIS778DN-T1-GE3 |
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