Hersteller-Teilenummer | SSM6J501NU,LF |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
verfügbare Anzahl | 141060 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | SSM6J501NU,LF.pdf |
Artikelnummer | SSM6J501NU,LF |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29.9nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-UDFNB (2x2) |
Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | SSM6J501NU,LF |
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