Hersteller-Teilenummer | TC58BYG0S3HBAI6 |
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Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
Produktkategorie | Speicher |
verfügbare Anzahl | 77040 Pieces |
Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
Beschreibung | IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
Lieferzeit | 1-2 Days |
Datumscode (D / C) | New |
Datenblatt herunterladen | TC58BYG0S3HBAI6.pdf |
Artikelnummer | TC58BYG0S3HBAI6 |
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Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
Teilstatus | Active |
Speichertyp | Non-Volatile |
Speicherformat | FLASH |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
Taktfrequenz | - |
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Zugriffszeit | 25ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7 V ~ 1.95 V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 67-VFBGA |
Lieferantengerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
Gewicht | 0.001 KG |
Anwendung | Email for details |
Ersatzteil | TC58BYG0S3HBAI6 |
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