| Hersteller-Teilenummer | TPC6012(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| verfügbare Anzahl | 112620 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 6A VS6 |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | TPC6012(TE85L,F,M).pdf |
| Artikelnummer | TPC6012(TE85L,F,M) |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | VS-6 (2.9x2.8) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | TPC6012(TE85L,F,M) |
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