Toshiba Semiconductor and Storage Verteiler www.qycomp.com TPN7R506NH,L1Q
Hersteller-TeilenummerTPN7R506NH,L1Q
HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
verfügbare Anzahl85950 Pieces
StückpreisZitat per E-Mail ([email protected])
BeschreibungMOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Bleifreier Status / RoHS-StatusBleifrei / RoHS-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) 1 (Unlimited)
Produktionsstatus (Lebenszyklus)In Production
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
Datenblatt herunterladen TPN7R506NH,L1Q.pdf

Produkteigenschaften

Artikelnummer TPN7R506NH,L1Q
Hersteller lieferzeit 6-8 weeks
Bedingung New & Unused, Original Sealed
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
Gewicht 0.001 KG
Anwendung Email for details
Ersatzteil TPN7R506NH,L1Q

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Toshiba Semiconductor and Storage Verteiler

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