| Hersteller-Teilenummer | VS-GB100TP120N |
|---|---|
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Produktkategorie | Transistoren - IGBTs - Module |
| verfügbare Anzahl | 190000 Pieces |
| Stückpreis | Zitat per E-Mail ([email protected]) |
| Beschreibung | IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produktionsstatus (Lebenszyklus) | In Production |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | VS-GB100TP120N.pdf |
| Artikelnummer | VS-GB100TP120N |
|---|---|
| Hersteller lieferzeit | 6-8 weeks |
| Bedingung | New & Unused, Original Sealed |
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 1200V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200A |
| Leistung max | 650W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
| Gewicht | 0.001 KG |
| Anwendung | Email for details |
| Ersatzteil | VS-GB100TP120N |
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