Número de pieza del fabricante | 2N7636-GA |
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Fabricante | GeneSiC Semiconductor |
categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
Cantidad disponible | 107380 Pieces |
Precio unitario | Cotizar por correo electrónico ([email protected]) |
Descripción | TRANS SJT 650V 4A TO276 |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado de producción (ciclo de vida) | In Production |
El tiempo de entrega | 1-2 Days |
Código de fecha (D / C) | New |
Descargar hoja de datos | 2N7636-GA.pdf |
Número de pieza | 2N7636-GA |
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Fabricante plazo de ejecución | 6-8 weeks |
Condición | New & Unused, Original Sealed |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de FET | - |
Tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (Máx) | 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete de dispositivo del proveedor | TO-276 |
Paquete / caja | TO-276AA |
Peso | 0.001 KG |
Solicitud | Email for details |
Repuesto | 2N7636-GA |
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