GeneSiC Semiconductor Distributeur www.qycomp.com 2N7636-GA
Référence fabricant2N7636-GA
FabricantGeneSiC Semiconductor
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Simples
quantité disponible107380 Pieces
Prix unitaireCitation par email ([email protected])
La descriptionTRANS SJT 650V 4A TO276
Statut sans plomb / Statut RoHSSans plomb / Conforme RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de production (cycle de vie)In Production
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Attributs du produit

Numéro d'article 2N7636-GA
Délai d'exécution du fabricant 6-8 weeks
État New & Unused, Original Sealed
État de la pièce Obsolete
FET Type -
La technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4A (Tc) (165°C)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 415 mOhm @ 4A
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 324pF @ 35V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 225°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-276
Paquet / cas TO-276AA
Poids 0.001 KG
Application Email for details
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