Référence fabricant | 2N7636-GA |
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Fabricant | GeneSiC Semiconductor |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
quantité disponible | 107380 Pieces |
Prix unitaire | Citation par email ([email protected]) |
La description | TRANS SJT 650V 4A TO276 |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Sans plomb / Conforme RoHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut de production (cycle de vie) | In Production |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | 2N7636-GA.pdf |
Numéro d'article | 2N7636-GA |
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Délai d'exécution du fabricant | 6-8 weeks |
État | New & Unused, Original Sealed |
État de la pièce | Obsolete |
FET Type | - |
La technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) (165°C) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 415 mOhm @ 4A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 35V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | TO-276 |
Paquet / cas | TO-276AA |
Poids | 0.001 KG |
Application | Email for details |
Pièce de rechange | 2N7636-GA |
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